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Electro-Films (EFI) / Vishay SI8810EDB-T2-E1
| Artikelnummer: | SI8810EDB-T2-E1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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- Spezifikationen
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- Versandinformationen
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Electro-Films (EFI) / Vishay SI8810EDB-T2-E1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI8810EDB-T2-E1.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA Vgs (Max) ±8V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 4-Microfoot Serie TrenchFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 72 mOhm @ 1A, 4.5V Verlustleistung (max) 500mW (Ta) Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse 4-XFBGA Andere Namen SI8810EDB-T2-E1TR Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount Produkteigenschaften Eigenschaften Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Hersteller Standard Vorlaufzeit 46 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 245pF @ 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 8V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V detaillierte Beschreibung N-Channel 20V 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C - SI8810EDB-T2-E1 Einzelheiten PDF [English] SI8810EDB-T2-E1 PDF - EN.pdf -
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